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ペロブスカイト太陽電池、SnO₂インクで量産化へ前進

9/28/2026

 

米Sofab InksがNSFより資金獲得。​ペロブスカイト太陽電池の低コスト量産化に向けたSnO₂電子輸送層インクの開発を加速。

ペロブスカイト太陽電池(PSC)の商業化においては、高効率化だけでなく、モジュール製造コストの低減と量産プロセスへの適合が重要な課題となっています。

米国の材料開発スタートアップ Sofab Inks はこのほど、米国立科学財団(NSF)のSmall Business Innovation Research(SBIR)Phase Iプログラムより30万165ドルの助成金を獲得したと発表しました。

本プロジェクトでは、フラーレン(Fullerene)系材料を用いないペロブスカイト太陽電池向けに、溶液プロセス対応の酸化スズ(SnO₂)ナノ粒子インクを開発し、大面積成膜技術および量産適合性の検証を進めます。
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(画像はPerovskite-Infoからの引用)
関連情報
Perovskite-Infoでは、ペロブスカイト太陽電池の材料、製造技術、装置、企業動向に関する最新情報を継続的に発信しています。​
https://www.perovskite-info.com

なぜ注目されるのか?

1. フラーレンフリーETLによる低コスト化

現在、多くの高効率ペロブスカイト太陽電池では電子輸送層(ETL)としてフラーレン誘導体が利用されていますが、材料コストや供給面が課題として指摘されています。

一方、SnO₂は比較的安価であり、溶液プロセスとの親和性が高いことから、モジュール製造コストの低減や供給安定化への寄与が期待されています。

2. ウェットコーティング量産技術への適合

今回の開発では、
  • インク組成
  • ナノ粒子分散技術
  • 成膜条件
  • 薄膜特性
などが電子輸送層(ETL)の性能や膜の均一性、デバイス耐久性に与える影響を評価するとともに、大面積成膜プロセスへの適用可能性を検証します。

3. 耐久性向上への期待

同社によると、SnO₂ベースのモジュール技術「Tinfab」は、フラーレン系対照サンプルと比較して、
  • 湿熱試験(Damp Heat)
  • 機械耐久試験
において良好な結果を示しているといいます。

ペロブスカイト太陽電池では長期信頼性が商業化の重要課題とされており、電子輸送層材料の選択はモジュール寿命にも大きな影響を与えるため、今後の検証結果が注目されます。

今後の展望

Sofab Inksは2026年7月に約600万ドルのシード資金調達を完了しており、車載、宇宙、IoT用途を含むペロブスカイト関連材料の量産化を進めています。

今回のNSFプロジェクトは、ワシントン大学のClean Energy Test Bedsや研究機関との連携のもとで実施され、ペロブスカイト太陽電池の溶液プロセス化に向けた重要な取り組みの一つと位置付けられます。
特に、
  • SnO₂ナノ粒子メーカー
  • 分散剤メーカー
  • コーティング材料メーカー
  • スロットダイ装置メーカー
  • ロール・ツー・ロール設備メーカー
  • モジュールメーカー
にとっては、新たな事業機会につながる可能性があります。

ペロブスカイト太陽電池の量産化競争が世界的に進む中、低コストかつ量産適合性の高いETL材料の開発動向は、今後も注目すべきテーマとなりそうです。

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今回ご紹介したようなペロブスカイト太陽電池の溶液プロセス化技術をはじめ、材料(インク・リガンド・ETL材料など)、印刷装置、評価モジュールのバリューチェーンは世界中で急速に拡大しています。

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両面界面最適化が拓く、全溶液プロセス型ペロブスカイトQLEDの超高輝度化

9/22/2026

 

ペロブスカイトQLEDの全溶液プロセス化に向けた界面最適化技術

次世代ディスプレイや照明デバイス向け材料として注目を集めるペロブスカイト量子ドット発光ダイオード(P-QLED)。高い色純度や発光効率を実現できる一方で、高性能デバイスの多くは真空熱蒸着プロセスに依存しており、インクジェット印刷などを活用した全溶液プロセス化は依然として重要な技術課題となっています。

2026年に『Small』へ掲載された本研究では、無機電子輸送層(ETL)であるZnMgOナノ粒子とペロブスカイト発光層の界面をそれぞれ最適化することで、積層工程における材料劣化を抑制しました。その結果、全溶液プロセスで形成した緑色P-QLEDにおいて、高輝度かつ高効率な発光特性が報告されています。

論文名
Dual‐Sided Interface Optimization Enables High‐Brightness All‐Solution‐Processed ZnMgO‐Based Green Perovskite QLEDs
掲載誌
Small Methods(2026年)
Feng H, Zhao Y, Yu F, Liu X, Zheng C, Liu G, Fang Y, Huang G, Du Z. Dual-Sided Interface Optimization Enables High-Brightness All-Solution-Processed ZnMgO-Based Green Perovskite QLEDs. Small Methods. 2026 Aug;10(15):e70815. doi: 10.1002/smtd.70815. Epub 2026 Jul 3. PMID: 42394616; PMCID: PMC13450353.
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なぜ注目なのか?

ZnMgOナノ粒子は高い電子移動度を持つことから、溶液プロセス対応の無機電子輸送層として有望視されています。しかし、実際のデバイス製造では以下のような課題が指摘されていました。
  • ZnMgOインクに含まれる極性溶媒が下地のペロブスカイト層へ影響を与える
  • ZnMgO表面に残存する水酸基(OH⁻)が発光層の劣化を促進する
  • 層間の化学的な相互作用により発光特性が低下する
本研究では、発光層と電子輸送層の両方に着目した界面設計により、これらの課題へのアプローチを試みています。

主な成果

研究チームは、ペロブスカイト発光層およびZnMgO電子輸送層の双方に対して界面最適化を実施しました。

① ペロブスカイト発光層の安定化


両性イオン配位子(ODPE)を導入することで、ペロブスカイト表面の化学的安定性と耐溶媒性を向上。

② ZnMgO表面の最適化


ZnMgOの溶媒をアセトニトリルへ最適化し、表面残留ヒドロキシル基を低減。

​その結果、作製した緑色P-QLEDでは以下の性能が報告されています。
  • 最大外部量子効率(EQE):8.3%
  • 最大輝度:134,920 cd/m²
  • T90寿命:2.8分(初期輝度5,000 cd/m²)

今後の展望

本研究は、ZnMgO系電子輸送層(ETL)とペロブスカイト発光層の界面設計を最適化することで、全溶液プロセス型P-QLEDの性能向上を実証した点で注目されます。これにより、従来は真空プロセスへの依存が課題の一つであったP-QLEDについて、オール・ウェットプロセス化に向けた有効なアプローチが示されました。インクジェット印刷との高い親和性を考慮すると、将来的なQDEL・P-QLEDディスプレイの低コストかつ大面積な製造技術の発展に貢献する研究成果といえるでしょう。

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【講演告知】AI眼鏡・AR眼鏡の技術ロードマップと市場形成シナリオ〜Meta・Google・Apple・中国メーカーの製品戦略と技術選択〜

9/20/2026

 
2026年10月20日(火)に(株)新社会システム総合研究所​主催セミナー「AI眼鏡・AR眼鏡の技術ロードマップと市場形成シナリオ〜Meta・Google・Apple・中国メーカーの製品戦略と技術選択〜」で講演を行います。

眼鏡型デバイス市場は大きな転換期を迎えています。従来はAR/VR/MRを中心としたXRデバイスが次世代コンピューティングプラットフォームとして期待されてきましたが、近年は生成AIの進化を背景に、ディスプレイを搭載しないAI眼鏡が市場拡大を牽引しています。また、通知、翻訳、ナビゲーションなどの情報を視界内の見やすい位置に表示し、認知負荷を抑えながら日常利用を実現するHUD(Heads-Up Display)型AR眼鏡も新たな市場を形成しつつあります。

​本講演では、ディスプレイレスAI眼鏡、HUD型AR眼鏡、さらに周囲環境を認識してデジタル情報を現実空間上に固定表示するWorld-Aware ARグラスを一連の進化軸として整理します。ディスプレイ、光学エンジン、ウェーブガイド、Micro LED、AI半導体、センシング技術などの最新動向を解説するとともに、Display Week 2026、AWE 2026、MicroLED & AR/VR Connect 2026で示された技術トレンドを踏まえ、Meta、Google、Apple、中国メーカーなど主要企業の戦略を分析します。さらに、AI眼鏡が市場形成を先導し、その先に空間認識機能を備えたWorld-Aware ARグラスへと進化していく技術ロードマップと、2030年に向けた市場拡大シナリオを展望します。

​詳細は下記主催者殿サイトをご参照ください。 ​講師優待用の下記特別URLからお申込み頂くと優待特別価格が適用されます!
​www.ssk21.co.jp/S0000103.php?spage=special_26556​
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ZnSナノ結晶による青色Cd-free QLEDの性能向上と長寿命化

9/12/2026

 

はじめに:青色Cd-free QDELにおける「最後の難関」

自発光量子ドットディスプレイ(QDEL/QLED)の実用化において、Cd-free青色量子ドットは長年にわたり重要課題の一つとされてきました。特にZnSeTe系材料では、発光層内の欠陥準位による励起子トラップや非放射再結合が発生しやすく、高効率化と長寿命化の両立が難しい状況が続いていました。

2026年9月に『Advanced Optical Materials』へ掲載された本研究では、ZnSナノ結晶を発光層へ導入することで、非放射再結合の抑制とキャリア輸送の改善を実現しました。これにより、青色ZnSeTe QLEDの発光効率と寿命が大幅に向上しており、Cd-free青色QDELの実用化に向けた有望な設計アプローチを示した研究として注目されます。
論文名:ZnS Nanocrystal-Mediated Spacing and Band Engineering for Efficient and Stable Blue ZnSeTe QLEDs
掲載誌:Advanced Optical Materials(2026年)
J. Chen, Q. Li, J. Jiang, et al. “ ZnS Nanocrystal-Mediated Spacing and Band Engineering for Efficient and Stable Blue ZnSeTe QLEDs.” Advanced Optical Materials (2026): e71752. https://doi.org/10.1002/adom.71752

1. ​青色ZnSeTe QLEDの性能向上を妨げる要因

Cd-free青色発光材料の有力候補であるZnSeTe系量子ドット(QD)は、環境規制への適応と高い色純度を両立できる材料として注目されています。一方で、発光層(EML)内に高密度で形成された量子ドット間では、デバイス性能向上を妨げるいくつかの課題が存在します。

QD間のエネルギー移動(FRET)

量子ドット同士が近接することで、Förster resonance energy transfer(FRET)が生じやすくなります。また、発光層内では欠陥準位による励起子トラップも発生し、非放射再結合が増加することで、発光効率や寿命の低下につながると考えられています。

キャリア注入バランスの不均衡

ホール注入障壁の存在により、電子とホールの輸送バランスが崩れやすく、発光効率の低下やデバイス劣化の要因となります。

2. ZnSナノ結晶添加による二つの効果

研究チームは、広いバンドギャップを持つZnS(硫化亜鉛)ナノ結晶をZnSeTe発光層へ導入しました。論文では、この手法によって主に二つの効果が確認されています。

ナノスペーサー効果によるFRET抑制

ZnSナノ結晶が量子ドット間の相互作用を緩和することで、量子ドット間の不要なエネルギー移動が抑制されます。その結果、薄膜中の励起子寿命は9.2 nsから12.7 nsへ延長しました。

バンド構造の変化によるキャリア輸送改善

ZnSナノ結晶とZnSeTe量子ドットの界面で形成される内蔵電界により、発光層内で上向きのバンド曲がり(upward band bending)が生じます。すなわち、ZnSナノ結晶とZnSeTe量子ドットの界面では電気的なポテンシャル変化が生じ、ホールが発光層へ注入されやすくなったと考えられています。その結果、電子とホールの輸送バランスが改善され、より効率的な発光につながったと報告されています。

3. デバイス性能への影響

この手法を適用した青色Cd-free QLEDは、以下の性能を示しました。
  • 最大外部量子効率(EQE):21.2%(2,317.4 cd/m²)
  • 最大輝度:10,229.4 cd/m²(6 V)
  • T50寿命:220.2時間(100 cd/m²)
特に寿命については、コントロール素子の49.9時間に対して220.2時間を示しており、ZnSナノ結晶導入による非放射再結合の抑制およびキャリア輸送改善の効果が示唆されています。
青色Cd-free QLEDはこれまで、高効率化と長寿命化の両立が難しく、QDEL実用化に向けた重要課題の一つとされてきました。本研究では、複雑なデバイス構造の追加や大幅なプロセス変更を伴うことなく、発光層内のナノ構造制御によって21%を超えるEQEと寿命の大幅な改善を同時に実現しています。

依然として実用化に向けた課題は残されているものの、青色Cd-free QLEDの性能向上に関する技術的な障壁は着実に低下しつつあります。本研究は、発光効率と信頼性の両面において改善可能な方向性を示したものであり、QDELのフルカラー化や商業化に向けて実現性が一段と高まっていることを示唆する成果として注目されます。

おわりに:QDELエコシステムの構築に向けて

沖為工作室では、QDEL(Quantum Dot Electroluminescent Display)産業の発展に向けた取り組みとして、「QDEL推進プロジェクト」を進めています。

現在、海外では青色Cd-free(カドミウムフリー)量子ドットの開発が活発化しており、材料、部材、デバイスメーカーを含めたエコシステム形成が進みつつあります。また、日本企業との連携や事業化の機会も今後拡大すると期待されています。

当プロジェクトでは、
  • 青色Cd-free量子ドットメーカー
  • 材料メーカー
  • 光学部材メーカー
  • 自動車照明メーカー
  • AR/VR関連企業
  • 大学・研究機関

などをつなぎ、情報共有、協業機会創出、市場調査・技術調査を通じて、QDELエコシステムの形成を支援しています。

QDEL、青色量子ドット、次世代ディスプレイ関連技術にご関心をお持ちの企業・団体の皆様は、お気軽にお問い合わせください。海外企業とのマッチング、技術調査、市場調査、協業支援についてもご相談を承っております。

お問い合わせおよび詳細資料のご請求はこちら
https://www.chong-wei.com/qdel_project.html

SEMICON Taiwan 2026現地視察

9/7/2026

 

SEMICON Taiwan 2026現地視察:TSMCエコシステムの明暗と「量産ボトルネック」を解く部材・材料戦略

SEMICON Taiwan 2026を視察し、現地関係者との意見交換や台湾メディアの報道を通じて強く感じたのは、AIブームが新たな局面へ移行していることです。

これまでの市場では、「AIで何ができるのか」あるいは「AI市場の拡大によって何が必要になるのか」が主なテーマでした。しかし現在、市場の関心は「AIをいかに高品質かつ安定的に量産するか」へと大きくシフトしています。

AI需要の急拡大を背景に、業界の注目はチップ性能そのものだけでなく、先端パッケージング、熱対策、光通信、歩留まり改善といった量産ボトルネックの解消へ向かっています。その中で、半導体業界は新たな構造変化を迎えつつあります。​

TSMCエコシステムへの参加可否が明暗を分ける

今回の展示会で最も印象的だったのは、TSMCを中心とした先端半導体エコシステムへの参画有無によって、企業の成長速度に大きな差が生じていることです。

​AIサーバー向けGPUやAIアクセラレータ需要の急拡大を背景に、
  • CoWoSをはじめとする先端パッケージング
  • 2nmプロセス向け製造装置および消耗部品
  • 検査・計測装置
  • 高耐熱・低汚染材料
  • 封止材・接着材料
などの分野では旺盛な投資が続いています。

一方で、成熟プロセス向け製品や汎用電子部品、さらにはディスプレイ関連分野の一部では投資優先度の低下が見られ、市場の温度差が鮮明になっていました。

​もちろん、ARグラス、MicroLED、車載ディスプレイなど将来の成長が期待される領域も存在します。しかし会場全体の熱量を見る限り、現在の投資マネーや人材はAI半導体サプライチェーンに集中しており、業界全体が「AI量産インフラ」の構築へ向かっていることを強く実感しました。

AI市場は「期待」から「量産競争」の時代へ

市場の関心は、「AIで何ができるか」という概念実証(PoC)の段階から、「いかに高品質かつ安定的に量産するか」という極めて実務的なフェーズへと移行しています。
  • 注目を集める実務テーマ
    ①CoWoSやHBM向けの先端パッケージング材料、②AIチップ向け熱対策・液冷冷却、③光通信・CPO(Co-Packaged Optics)、④歩留まり向上を支える高純度材料やクリーン化技術、⑤先端パッケージング向けの新材料など、AI半導体の量産課題を解決するソリューションに商機が集中しています。
  • 次世代のボトルネック突破口
    AIチップの消費電力が急増する中、熱マネジメントは性能向上と量産安定化の両面で重要課題となっています。また、データ転送量の急拡大に伴い、銅配線の限界を補完するCPOやシリコンフォトニクスへの関心も急速に高まっています。
こうしたテーマに共通するのは、「性能向上」そのものではなく、「量産のボトルネック解消」が主目的となっている点です。

日本企業に求められるのは「AI開発競争」ではなく「AI量産支援」

こうした量産課題の重要性が高まる中、日本企業にも大きな事業機会があります。
重要なのは、自らAIモデルやAIチップの開発競争に参入することではありません。むしろ、日本企業が強みを発揮できるのは、AI半導体の量産化を支える材料・部材・プロセス技術の提供です。

現在の半導体業界では、チップ性能そのものの競争に加え、「いかに高品質かつ安定的に量産できるか」が企業の競争力を左右する時代に入っています。そして、この領域こそ日本企業が長年培ってきた技術力を生かせる分野と言えます。そのために重要な戦略は、大きく二つあります。

1. 既存技術の半導体分野への展開

日本企業が持つ
  • 光学・精密材料技術
  • 塗工技術
  • 高機能ポリマー技術
  • 接着・封止技術
  • 精密加工技術
などは、先端パッケージングや半導体製造工程において応用余地が数多く残されています。

特にAI半導体向けでは、CoWoSやHBMなどの先端パッケージング技術の進化に伴い、高耐熱性、低反り性、低汚染性を実現する材料への要求が急速に高まっています。

ディスプレイ材料や電子材料分野で培ったコア技術を、半導体市場へ迅速に展開できる企業ほど、新たな成長機会を獲得できる可能性が高まるでしょう。

2. 歩留まり改善への徹底的な特化

先端半導体の競争では、「より高性能なチップを作る技術」だけでなく、「不良を減らし安定量産を実現する技術」の重要性が急速に高まっています。

微細化や高積層化が進む中では、わずかな異物や熱変形、材料特性のばらつきが歩留まり低下につながるためです。そのため、
  • 異物発生を抑制する高純度材料
  • 熱を効率的に逃がす放熱材料
  • 反りや変形を抑制する封止材料
  • クリーン環境を支える汚染対策技術
といった一見地味な領域であっても、その価値は今後さらに高まると考えられます。
​
AI半導体市場の成長が続くなか、今後は「より高性能なチップを作る企業」だけでなく、「高い歩留まりと安定量産を支える企業」がサプライチェーン全体の競争力を左右する存在になると考えられます。

【インタビュー記事が掲載されました】ロボタクシーの勝敗を分けるのはAIではない「AIネイティブカー」とは

9/6/2026

 
株式会社イード運営の自動車ニュースサイト「レスポンス」に弊社のインタビュー記事が掲載されました(有料の記事となります)。

☟インタビュー記事リンク
https://response.jp/article/2026/08/27/415803.html​

またインタビュー記事に関連し、2026年9月15日にオンラインセミナー「フィジカルAI実装の実態と5年後・10年後~ロボタクシーからAIネイティブカーへ、自動車産業の勝者は誰か~」が開催されます。

ロボタクシーやAIネイティブカーの最新動向を整理するとともに、主要メーカーの戦略、市場動向、関連産業への影響を分析し、2030年・2035年の自動車産業を展望します。

☟主催者殿リンク
https://response.jp/article/2026/08/05/414960.html​
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